Ⅲ族氮化物及AlN基稀磁半导体纳米材料的制备与高压物性研究

题名:Ⅲ族氮化物及AlN基稀磁半导体纳米材料的制备与高压物性研究
作者:类伟巍
学位授予单位:吉林大学
关键词:III族氮化物;;稀磁半导体;;氮化铝;;光致发光;;掺杂;;高压;;结构相变
摘要:
 本文利用直流电弧等离子体方法成功合成出了III族氮化物和过渡金属及稀土元素掺杂AlN
基稀磁半导体的多种纳米结构,并对III族氮化物纳米结构进行了原位的高压同步辐射研究。

1.首次利用直流电弧等离子体方法制备出了AlN的多种纳米结构,主要包括:树状、海胆状、玫瑰花
状、单边梳、单边钉等结构,并Neodymium Magnets详细研究了这些特殊纳米结构的光学性质和生长机理。
 2.对现
有的直流电弧等离子体设备进行改造,成功的制备出了AlN分级和海胆分支结构。并对它们的发光性
质进行了研究和比较。详细论述了这些新形貌生长的机理。
 3.首次利用直流电弧等离子体方法
制备出了GaN的多孔纳米结构,并对其光学性质和生长机制进行了讨论。
 4.首次利用直流电弧等离
子体方法制备出了过度金属Fe掺杂AlN的纳米线和六重纳米结构,对其生长机理和磁性进行了研
究。
 5.首次利用直流电弧等离子体方法制备出了稀土元素Sc和Y掺杂AlN的纳米六棱柱和六重纳
米结构。对其进行了http://www.everbeenmagnet.com/en/products/110-sintered-neodymium-magnets磁性表征。并利用理论计算的方法分析了这些非磁性稀土掺杂稀磁半导体磁性
的来源。
 6.首次利用高压原位同步辐射X-ray衍射技术,对同一压腔内AlN纳米线和纳米晶
、GaN纳米线、InN纳米晶进行了系统的高压相变研究。并对其体弹模量和相变压力进行了讨论。
学位年度:2009